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n 175 C Opereting Temperature
Advanced Power MOSFET
FEATURES
n Avalanche Rugged Technology
n Rugged Gate Oxide Technology
n Lower Input Capacitance
n Improved Gate Charge
o
n Extended Safe Operating Area
n Lower Leakage Current : -10 μ A (Max.) @ V DS = -100V
n Low R DS(ON) : 0.225 ? (Typ.)
SFP9530
BV DSS = -100 V
R DS(on) = 0.3 ?
I D = -10.5 A
TO-220
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Continuous Drain Current (T C =25 C)
Continuous Drain Current (T C =100 C)
Symbol
V DSS
I D
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
o
o
Value
-100
-10.5
-7.5
Units
V
A
O
Total Power Dissipation (T C =25 C)
W/ C
I DM
V GS
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
o
Linear Derating Factor
O 1
2
O 1
O 1
O 3
-42
± 30
368
-10.5
6.6
-6.5
66
0.44
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
o
T J , T STG
T L
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
- 55 to +175
300
o
C
Thermal Resistance
Symbol
R θ JC
Characteristic
Junction-to-Case
Typ.
--
Max.
2.27
Units
R θ CS
R θ JA
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
0.5
--
--
62.5
o
C/W
Rev. C
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